氮化铝陶瓷金属化方法

部分内容摘录如下：

氮化铝性能

氮化铝（AlN）陶瓷具有以下诸多优点，是理想的电子封装材料，可作为基板制成印制电路（PCB）板应用于高频电路中。另外，AlN陶瓷具有优越的传热性能，适用于大功率电路。

（1）高的热导率；

（2）热膨胀系数可与半导体硅片相匹配；

（3）具有高的绝缘电阻和介电强度；

（4）具有低的介电常数和介质损耗；

（5）机械性能高，机械加工性能好；

（6）具有非常低的二次电子发射系数；

（7）无毒。

但是，AlN陶瓷在高频大功率场合的应用通常会遇到与金属或陶瓷进行连接的问题，由于AlN属于共价键较强的化合物，一般的钎料不能润湿陶瓷表面。因此，通常需将AlN表面改性，使其具有金属性质（即金属化），然后再采用常规的钎焊工艺实现AlN与金属的连接。

AlN陶瓷金属化的方法主要有：薄膜金属化（如Ti/Pd/Au）、厚膜金属化（低温金属化、高温金属化）、化学镀金属化（如Ni）、直接覆铜法（DBC）及激光金属化

小提示：登录后刷新 微信支付1元即可获取资料附件~

       氮化铝陶瓷金属化方法.docx